4PC.INFO - тёх фы  тр°хую ъюья№¦ЄхЁр ш ю эхь
Rambler's Top100
 
 Hardware
 Драйвера
 Производители Hardware
 Объявления
 Глоссарий
    Память
    Системные платы
    Сети
    Процессоры
 Владельцам сайтов
 Ссылки

Rambler's Top100
liveinternet.ru: показано число посетителей за сегодня

Память

A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z   

Bandwidth (Пропускная способность)
Количество данных, которое можно передать за фиксированный промежуток времени. Для цифровых устройств полоса пропускания обычно выражается в битах в секунду(bps) или байтах в секунду. Для аналоговых устройств полоса пропускания измеряется в циклах в секунду, герцах(Hz). Для памяти, пропускная способность получается от произведения разрядности (ширины) шины на частоту (Например: 100 МГц*8 байт (64 бита).= 800 МБ/с).

Bank (Банк)
1. тоже самое что и slot (слот)
2. Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей равняется отношению ширины системной шины к ширине шины модуля (умноженному на коэффициент interleave). Некоторые компьютеры способны работать с неполным банком памяти, но ценой значительного падения быстродействия.
3. Логическая единица внутри модуля памяти, см. dual-bank. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличения чила адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса - вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 8 и 32 MB SIMM, которые в отличие от 4 и 16 MB называются "двухбанковыми"
4. Часть чипа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Эта возможность используется для interleave на уровне чипа.

BEDO (Burst EDO)
Более быстрая разновидность EDO DRAM, которая может обрабатывать четыре адреса памяти в одном пакете (burst). В отличие от SDRAM BEDO DRAM может синхронизироваться с часами центрального процессора только в течение коротких периодов. Поэтому она не может работать с процессорами, у которых частота шины больше 66 MHz. Несмотря о заявлениях производителей о поддержке этого стандарта, BEDO DRAM так и не получила широкого распространения на рынке.

Buffered Memory (Буферизированная память)
Как правило применяется в 168-контактных DIMM, которым из-за большой емкости не хватает времени для «зарядки», из-за чего происходит потеря тактов. В таких случаях применяется специальная микросхема (буфер), которая быстро сохраняет поступающие данные, тем самым освобождая контроллер. Обычно буферизированная и небуферизированная память несовместимы.

Bus (Шина) дополнительная информация >>
Линии ввода-вывода, по которым передается информация. Шина имеет такие характеристики как: ширина (разрядность), частота и пропускная способность (Bandwidth). Последний параметр является результатом произведения ширины шины на частоту (Например: 100 МГц*8 байт (64 бита).= 800 МБ/с)

 
Разделы: Hardware | Драйвера | Производители Hardware | Объявления | Глоссарий | Владельцам сайтов | Ссылки |
4PC.info: О сайте | Статистика | Реклама на сайте