Samsung Electronics, похоже, решила "выстрелить дуплетом" и сделала два достаточно серьезных заявления, касающихся DRAM и NAND-флэш. Во-первых, корейский производитель, по данным The Korea Times, начала полномасштабное серийное производство 256 Мбит микросхем GDDR3 SDRAM с пропускной способностью 1,4 Гбит/с.

Корпорация SanDisk представила карты памяти нового стандарта T-Flash. Размеры карты 11х15х1 мм. По своему дизайну карты T-Flash более всего напоминают хорошо известные SIM-карты мобильных телефонов. Создание карт памяти таких небольших размеров стало возможно благодаря использованию чипов MLC